ebeam 荷兰光刻机一把手ASML：谈EUV光刻机未来的发展( 二 ) 系统

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冷凝器的寿命也在增加，功率也在增加。

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这些改进的最终结果是将现场340℃系统的正常运行时间目标设定为95%。为了提高吞吐量，ASML将继续改善电力供应。图8说明了电源的趋势。请注意，从研究到量产的时间约为2年，因此我们可能会在2022年左右看到500瓦的电源。

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0.5NA曝光系统的分辨率与NA成反比。随着关键尺寸的减小，0.33纳米EUV系统将需要多重图案化来印刷最小的特征。高NA系统的目标是匹配0.33NA系统的覆盖范围和生产率，同时将单程光刻技术扩展到更小的特征。0.5NA系统的光学系统变形，即一个方向的放大率为4x，正交方向的放大率为8y。这导致场尺寸是具有相同掩模版尺寸的4x/4y系统的1/2。为了达到高生产率的目标，掩模台的加速度是0.33NA系统的4倍，晶片台的加速度是0.33NA系统的2倍。

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在相同吞吐量下，快速阶段传输的改善导致0.55NA系统的吞吐量高于0.33NA系统。这里需要注意的是，一些为0.55NA系统开发的高速卫星技术正在0.33NA系统上实现，以进一步提高这些系统的吞吐量。

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目前，ASML正在加速晶圆和掩膜台，并最终确定架构。这与0.33NA系统的主要区别在于新的光学系统和更快的载物台，尽管在0.33NA系统中再次使用了更快的载物台技术。0.55NA系统还需要更好的对齐和水平度。ASML目前正在测试一种特定的配置，以确定高加速度下的粒子生成，并已开始收集一些第一批传感器数据。ASML还在世界各地的各种设施中建立了0.55纳米系统的基础设施。
1.康涅狄格州的ASML·威尔顿负责标记阶段。
2.该系统将在荷兰维尔德霍芬的ASML总部组装。
3.德国奥伯科钦的齐斯负责光学制造。
4.加州圣地亚哥的ASML负责光源。
目前，该公司有4套系统正在订购中，预计将于2022/2023年上市。
多波束电子束
ASML收购了HMI，并继续追求HMI多波束EBeam曝光技术。电子束检查分辨率高，但检查0.1%的芯片需要2小时左右，非常慢。
多波束方法使用3×3阵列中的九个波束同时进行扫描。图11展示了基本的工具概念。

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【ebeam 荷兰光刻机一把手ASML：谈EUV光刻机未来的发展】现在，ASML已经证明光束之间的串扰小于2%，并且他们正在使用DUV曝光工具中的载物台技术来提高多光束系统的通量。他们的目标是将吞吐量提高5-6倍，并长时间使用25波束系统。毫无疑问，EUV现在是领先技术的关键光刻的首选解决方案。ASML继续展示目前0.33NA一代系统和下一代0.55NA系统的发展进展。