台积电拟投资28亿美元在南京新建产线，好事还是坏事？

相比之下国内大陆的水电等基础设施水平强于taiwan地区，而且下游国内客户需求持续旺盛，台积电决定再扩大南京厂产能，也在情理之中。

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当下全球的缺芯潮，国内外各大厂家都在扩产，目前台积电计划3年内用于在全球工厂扩产预算是1000亿美元。就算台积电在南京无法投产28nm ，也有的是其他地方工厂可以用于扩产。在我看来，台积电扩产的直接原因，是因为缺芯潮导致订单激增，现有产能已经跟不上订单需求，好事坏事不能一概而论，交给市场吧！

一、对南京而言，加强以电子产品为核心的中高端制造业定位，自然是好事
要知道，南京摸爬滚打这么多年，总算找到自己的定位，就是以电子产品为核心的中高端制造业，可以说是能够对标MG的德州。而且，南京和MG的德州，优势非常类似：

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1、大量的郊区可开发土地，有连片的平原，比如江北新区和溧水。南京的农村人口密度其实很低，尤其是六合，看卫星地图就知道，按人口补偿的话，征地成本较低。
2、较高的教育水平。城市居民拥有大专以上学历比例全国第一。南京除了传统的大学名校，还有数十所技术院校，每年能够量产中高级技术工人。此外，南京还有大量科研院所，为技术商业化提供了坚实的后盾。
3、拥有二线城市中数一数二的交通。地铁里程曾仅次于北上，并且直通远郊区。高铁四通八达，市区不限号不限牌更不限外地车。

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以上这三点优势，可以说是为发展高端制造业量身定制，即使拥有2的武汉，水网密布，地形过于支离破碎，重庆更是几乎找不到平地；拥有1的成都长沙， 2和3又无法满足；同时拥有1和3的天津， 2又成了短板。可以说，同时满足以上三点的城市，只有南京。

以前南京又想大力发展互联网，又想扶持文化艺术，结果都是不温不火，被隔壁杭州上海持续超越，后来终于搞明白了自己的优势所在和发展定位，这次台积电选择南京扩产，对南京产业自然是好事。

二、破解疑问1：南京扩产的28nm是低端芯片吗？

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我们要知道，目前28nm芯片工艺，是12英寸先进与成熟工艺的分界点， 28nm以下比如16/14nm ， 7nm ， 5nm工艺被称为12英寸先进工艺，以上的如45/40nm、65nm、90nm等被称为12英寸成熟工艺。28nm工艺也是最后一代平面晶体管工艺，之后就开始导入FinFET结构的3D晶体管。从技术角度而言，确实在很长时间内， 28nm工艺是一个分界点。

也就是说， 28nm规格是成熟工艺中绝对代表，是一个使用范围非常广，且寿命非常长的工艺节点，能覆盖绝大多的芯片制造，比如电视机芯片，消费电子芯片，汽车芯片，平板电脑等，虽然不是最先进，但是无论如何都算不上“落后”工艺。

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所以，数字电路追求单位面积内的晶体管密度，以追求更强的性能来打败对手，因此线宽越做越小，集成度越做越高，所以需要更小线宽的先进工艺。但除了最先进数字电路，其他芯片根本不需要这样的工艺，大量MEMS传感器，电源管理IC等根本不追求先进工艺，相反只需最成熟，最适合的工艺来生产就行了，除了最求性能优先的高性能计算数字芯片需要最先进7nm ， 5nm制程外，其他芯片根本不需要这么先进制程的。
三、破解疑问2：南京扩产28nm是不是低价倾销？
要知道，除了性能，综合成本是芯片生产必须考虑的因素。从成本而言， 28nm显然更具优势。据Gartner统计， 16nm /14nm芯片的平均IC设计成本约为8000万美元，而28nm体硅制程器件约为3000万美元，设计7nm芯片则需要2.71亿美元。对于多数客户而言，高阶制程FinFET制程转换费用实在是太昂贵了。

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从性能而言，相较于40nm及更早期制程， 28nm工艺在频率调节、功耗控制、散热管理和尺寸压缩方面具有明显优势。另一方面，由于16nm/14nm及更先进制程采用FinFET技术，维持高参数良率以及低缺陷密度难度加大，每个逻辑闸的成本都要高于28nm制程，造成当时每个晶体管成本不降反升。

28nm就综合而言，算是一代性价比非常高的制程，无论对于流片客户或是拿它赚钱的代工厂而言，它是一个“SWEET POINT”甜蜜点，毕竟拉5吨货， 5吨的卡车就行了，谁会去用50吨的车呢？

问题来了， MG建先进的，国内建成熟的，相比90亿美元差价就是国内低成本低吗？这里我们千万别犯常识性错误。

国内相比MG确实有建厂低成本优势，但是差距绝对没有大到90亿美元的程度。一个晶圆工厂的建厂成本80%左右是采购设备，其余20%才是厂房建设，内部洁净室装修，以及配套设施等。台积电赴美建设的是5nm工厂。众所周知， 5nm工艺所需设备单价以及数量远超28nm 。

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比如5nm需要导入ASML NXE系列EUV光刻机，这种设备单价在1.2-1.7亿美金一台，而28nm只需要NXT 1970i/1980i系列DUV光刻机就能满足生产，设备单价在6500-8500万美金，两者价格差接近一倍。其他如高阶制程需要用到的ALE设备（原子层刻蚀设备）单价超过700万美金， ALD（原子层沉积设备）单价也超过500万美金，都比普通的Etch(反应离子刻蚀机），和CVD( 化学气相沉积设备) ，贵20%-50% 。最关键的是设备数量，比如 5nm所需的刻蚀机数量，是28nm的三倍左右。
因此这90亿美金的差价，绝大多数都是由设备单价以及数量的差异带来的，而不是国内水、电、土地，土建低成本带来来的，我们无需担忧的。
四、最后，南京新建产线好事坏事不能一概而论，目前来看却是利大于弊的
【台积电拟投资28亿美元在南京新建产线，好事还是坏事？】我就举个例子，特斯拉全独资进中国，把中国的电动车都打趴下了吗？没有吧？蔚来，小鹏，比亚迪等等，不都是百花齐放吗？