什么是Flash盘?Flash盘的结构是什么样的?
在开发U盘的过程中，使用Flash作为存储介质。它有其特定的结构特点。以16M的三星K9F2808U0A-YCB0Flash为例，它有1024个Block，每个Block有32个Page，每个Page有512+16=528个字节。二、Flash的结构Flash的读写...
【什么是Flash盘?Flash盘的结构是什么样的?】 Flash是大家常使用的存储之一，对于Flash，大家或多或少有所了解 。上篇文章中，小编对Flash闪存的类型有所介绍 。为继续增进大家对Flash的认识，本文将对Flash盘、Flash盘结构以及Flash读写操作予以介绍 。如果你对本文内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦 。
一、Flash 盘的FAT 结构
Flash 硬盘与普通的磁头、柱面式介质不一样 。在开发U 盘的过程中，使用Flash 作为存储介质 。它有其特定的结构特点 。以16M 的三星K9F2808U0A-YCB0 Flash 为例，它有1024 个Block，每个Block 有32个Page，每个Page 有512+16=528 个字节 。
二、Flash 的结构
Flash 的读写有其自身特点：1)必须以Page 为单位进行读写;2)写之前必须先擦除原有内容;3)擦除操作必须对Block 进行，即一次至少擦除一个Block 的内容 。针对这种情况，将Flash 的一个Page 定为1 个扇区，将其2 个Block，64 个扇区定为一个簇，这样，簇的容量刚好为512*64=32K，满足FAT16 对簇大小的要求 。FAT 分配空间的时候，是按簇来分配的，但是其给出的地址却是LBA(Logical Block Address)，即它只给出一个扇区号，比如对此Flash 而言，若给出LBA 为0x40，实代表簇1的扇区1 。因此需要将Logical Block Address 转换为物理地址，这样，才可以对数据进行存取操作 。根据我们定义的结构，转换公式为：
Flash 的Block = Logical Block Address/0x20
Flash 的Page = Logical Block Address %0x20
实际上，如果定义每个簇为32 个扇区是最好的，因为这样物理结构和逻辑结构刚好一致 。但是这也无防，因为不管Logical Block Address 给出什么值，只要按上述公式，总可以得到物理上正确的Block 和Page，再使用Flash 的读写命令读取对应的Block 和Page 就可以了，读的问题复杂一些，在后面介绍 。因此簇和扇区的概念只是在BPB 中给出存储介质信息的时候告之系统就可以了，我们只要做好LBA 与物理地址间的转换就可以了 。
由于做为U 盘的Flash 不要求启动，因此可以没有MBR 区，只包含DBR、FAT、DIR
和DATA 四个区 。因此，Flash 的前两个Block 的内容如下：
LBA Block/Page 长度 内容说明
0 0,0 512 字节 MBR=BPB+Excutable Code+55AA(查看内容)
1~2 0,1~0,2 1024 字FAT 区(第一份FAT)节
3~4 0,3~0,4 1024字节 FAT 区备份(第二份FAT)
5~39H 目录区(在BPB 中调整目录项数，使其刚好占尽本簇)
40H~ 数据区(因目录区占尽一个簇，故数据区始于新簇首扇)
当Host 发出READ 命令后，Flash 读写操作即告开始，Host 首先读取MBR，得到有关存储介质的有关信息，诸如扇区长度、每簇扇区数以及总扇区数等内容，以便知道此盘有多大 。如果读取正确，会接着读取文件分配表，借以在PC 机上的可移动盘符中显示文件目录，并可以复制、删除或是创建文件 。系统自动将这些命令都转换成Read 或Write 两种命令，通过USB 的READ 或WRITE 命令块描述符来从Flash 中相应扇区读取数据，或是将特定长度的数据写入Flash 相应簇中 。
三、Flash 的读写
针对Flash 读写的特点，特别是其可随机读，但无法随机写的问题，需要通过设置缓冲区来解决 。在与USB Host 进行数据交换的过程中，最小的单位是扇区：512 字节 。由于Flash在写之前必须先擦除，而一擦又必须擦一个Block，因此在擦除某Block 之前必须保存同一个Block 中有关扇区的数据 。因此，如果每收到一个扇区的内容就进行一次擦、保存、写的操作，系统任务将十分繁重，无法及时响应USB Host 端的请求 。
因此，在系统中设置32K 的缓冲区(ARM7 系统具有2M SDRAM，因此内存足够，如果在8051 平台上，则需要另外想办法)，每完成一次数据传输后，记下本次要写的开始扇区和总扇区数，将本次要写的数据所涉及的扇区以外的数据从Flash 中读出来，存放在缓冲区中对应位置，然后擦除一个Block，再将缓冲区中内容一次全部重新写入Flash 。
以上便是此次小编带来的“Flash”相关内容，通过本文，希望大家对Flash盘的结构以及Flash的读写操作等内容具备一定的了解 。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，小编将于后期带来更多精彩内容 。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!
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