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京东方公司Micro-LED的转移方法,可广泛应用于显示领域

【京东方公司Micro-LED的转移方法,可广泛应用于显示领域】 5G技术的革新带动了手机面板产业的发展 ， 其高传输速率与低延迟特性开创了手机在AR等其他领域的应用 ， 因此对高刷新频率面板提出了需求 ， 带动了Micro-LED（微型发光二极管）的发展 。
相对于现有的OLED或LCD ， Micro-LED显示器具有像素独立控制、自发光、亮度高、色域广、性能稳定及寿命长等优势 ， 搭配巨量转移技术可以结合不同的显示背板 ， 创造出透明、投影、弯曲、柔性等显示效果 ， 未来很有可能在显示器产业领域创造新的市场 ， 是非常具有潜力的下一代新型显示技术 。然而当前Micro-LED显示器在制作过程中存在诸多难题 ， 比如怎样将微小化、高密度、阵列化的LED晶粒转移到电路基板上 ， 这很大程度制约了Micro-LED显示的大规模商业化应用 。正是基于这种情况 ， 作为国内知名显示器企业的京东方公司 ， 提出了一种Micro-LED的转移方法 。
早在19年6月10日 ， 京东方公司便申请了一项名为“一种Micro-LED的转移方法”的发明专利（申请号：201910497258.X） ， 申请人为京东方科技集团股份有限公司 。
此专利介绍了一种Micro-LED的转移方法 ， 可以实现LED晶粒的转移 ， 同时降低或消除LED晶粒与目标基板之间的断差 ， 可广泛应用于显示领域 。

京东方公司Micro-LED的转移方法,可广泛应用于显示领域
文章插图
为此专利提出的Micro-LED的转移方法流程图 。首先提供一个供体基板 ， 包括承载基板与在上面阵列排布的LED晶粒 ， 其中100表示承载基板 ， 101表示Micro-LED晶粒 ， 相对于尺寸为毫米级别的普通LED晶粒 ， Micro-LED的尺寸为微米级 ， 因此处理工艺的难度也更高 。在图1的S100步骤中 ， 需要将LED晶粒排布在供体基板上 。首先应在衬底基板上依次生长n型半导体层、发光层、p型半导体层 ， 之后 ， 对其进行刻蚀形成多个层叠的n型或p型半导体图案、发光图案以及正负电极 ， 从而形成多个LED晶粒 ， 并确保他们互不连接 。
101步骤提供一个粘贴基板 ， 包括底板以及覆盖在上面的热熔胶膜 ， 如图3所示 ， 200表示底板 ， 201表示热熔胶图案 ， 目的是当粘贴基板与供体基板正对时 ， 应确保每一个LED晶粒能与热熔胶图案2011对应 ， 以高效的进行晶粒转移 。在进行图1中的S102步骤时 ， 将粘贴基板20移动至供体基板10的上方 ， 并向靠近供体基板10的方向移动粘贴基板20 ， 利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的LED晶粒101 ， 以使LED晶粒101与承载基板100分离 。S103步骤表示将粘贴有多个LED晶粒的粘贴基板移动到目标基板（如电路基板）上方 ， 并使得LED晶粒与目标基板的相对应位置完全正对 ， 以使得LED晶粒与电路基板上的驱动电极对进行电气连接 。
S104过程表示Micro-LED晶粒转移过程 ， 其中30表示目标基板 。将粘贴有多个LED晶粒的粘贴基板加热至第 一温度（大于热熔胶膜的融化温度） ， 以使热熔胶膜201熔化 ， LED晶粒与粘贴基板分离 ， 由于晶粒位置与目标基板上预设位置正对 ， 因此分离后的LED晶粒会转移到目标基板上 。
可以看出LED晶粒与目标基板存在断差H ， 而断差对显示和发光效果均有很大影响 ， 而本专利提出的方式可以使得融化的热熔胶膜流入LED晶粒的间隙中 ， 从而减小LED晶粒与目标基板之间的断差 。而现有技术普遍采用逐个吸取、压合LED晶粒的方式 ， 将巨量LED晶粒诸葛转移到目标基板上 ， 由于LED晶粒数量非常多 ， 因此转移难度非常大 ， 导致了过高的成本 ， 此专利提出的转移方式可以同时对多个LED晶粒101进行转移 ， 因而简化了巨量LED晶粒的转移难度 ， 同时改善了断差对显示与发光效果的影响 。
责任编辑：tzh

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