半导体先进制程发展扩大EUV市场需求，ASML可望持续受惠
在先进制程纳米节点持续微缩下，光刻机是重要关键设备 。12寸晶圆主要光刻机为ArFimmersion机台，可覆盖45nm一路往下到7nm节点的使用范围，其雷射光波长最小微缩到193nm;针对7nm节点以下的制程，EUV(ExtremeUltra-Violet)极紫外光使用光源波长为13.5nm，确保先进制程持续发展的可能性 。
半导体光刻机设备市场规模主要有3家设备供应商：ASML、Nikon及Cannon 。其中，ASML以市占率超过8成居首，几乎占据逻辑IC与存储器先进制程的光刻机需求，且面对更小微缩尺寸的范围，目前仅有ASML能提供EUV机台做使用，更加巩固其在市场上的地位 。本篇主要借ASML在光刻机的销售状况，做区域性分布与先进制程需求状况分析 。
台湾地区与韩国对光刻机需求最强烈，大陆地区未来或将开创新市场开发程度值得关注
ASML营收在先进制程快速发展下，连续5年呈现高度成长，年复合成长率13% 。从营收区域分布来看，台湾地区与韩国由于晶圆代工扩厂动作频频，自2016年来持续保持超过5成份额，为ASML最大营收占比区域;美国与大陆地区的区域营收则大致保持2～3成左右份额 。
【半导体先进制程发展扩大EUV市场需求，ASML可望持续受惠】
韩国除了既有制造存储器的大量需求外，2019年4月底，Samsung宣布计划至2030年底投入总数133兆韩圜扩张晶圆代工业务，其中60兆韩圜将规划投资生产设备，也预期持续拉抬ASML在韩国地区的营收 。
至于台湾地区部份，台积电目前扩厂计划包括在南科负责生产3nm与5nm节点的FAB18，对光刻机需求也是ASML主要成长动能，尤其是在高单价EUV需求方面，从ASML最早的第一批EUV出货即获得机台，抢得先机做持续性的现地化调机，有助于评估日后FAB18的建置数量 。
美国的扩厂动作则相对保守，从GlobalFoundries终止研发7nm制程后，基本上在晶圆代工这一块就停止扩厂计划，光刻设备需求转而倚靠IDM厂 。美国最大IDM厂Intel是光刻机设备商的主要客户，在2018下半年因10nm制程进度延期造成CPU供货不足，也促使Intel于2018年第四季宣布在以色列与爱尔兰的14nm扩产计划，拉抬ASML在美国地区营收 。
不过，Intel同时也是Nikon ArFimmersion与ArF的主要客户，Nikon凭借价格优势把握Intel光刻机部份需求，估计在2019～2020年出货ArFimmersion与ArF机台给Intel，未来ASML在美国区域营收或许由EUV采购状况来主导 。
最后是大陆地区，虽然晶圆厂扩厂计划持续增加，但对高端光刻设备依赖度较高的先进制程晶圆厂目前不在多数，其余成熟制程的光刻设备供应商则有Nikon与Canon等竞争对手，加上大陆地区也致力于国产光刻设备开发，未来ASML在大陆地区区域的营收成长目标，除了独家供应EUV优势外，尚需考量额外的影响因素 。
总括来说，先进制程的光刻设备出货前景看好，加上EUV高单价设备加持，将持续助益ASML营收攀升 。在区域性方面，四大区域需求将持续增加，以韩国与台湾地区成长潜力较高，而大陆地区在中芯国际宣布成功购入EUV机台后，可望开启大陆地区发展14nm以下节点发展 。
EUV需求数量持续增加，贡献ASML营收仅次于ArF Immersion
受惠于先进制程发展，EUV使用量在7nm节点以下制程大幅增加 。以7nm节点制程来说，Samsung的做法是包括前、中、后段曝光显影制程全面使用EUV;台积电7nm做法可划分为没有使用EUV，以及部份CriticalLayer使用EUV两类;至于Intel以10nm发展时程看来，应该是与台积电在7nm节点做法相似，初期不使用EUV，在后续优化版本部份Layer使用EUV 。而在7nm节点以下制程，3家主要厂商将全面使用EUV机台，大幅拉抬EUV需求量 。
ASML是目前唯一提供EUV的光刻技术厂商，在光刻设备市场位居领先地位 。分析过去3年ASML供应的机台分类，ArFImmersion为其营收主力，涵盖45nm以下至7nm的制程节点;EUV目前虽然数量不多，但受惠于价格较高，在营收表现上已稳居第二位，有机会在未来追上ArFimmersion的营收表现 。
另外，就EUV数量来看，或许在发展3nm制程时，可望看见更大量机台需求 。Samsung宣布其先进制程Roadmap，预计在2021下半年推出使用GAA-FET(Gate-All-AroundField-Effect Transistor)技术的3nm节点制程;3nm GAA-FET工法相较现行5nmFin-FET结构更复杂，制作闸极环绕的纳米线(Nano-Wire)需要更多道程序，可能将增加曝光显影的使用次数 。
EUV现行的Throughput(处理量)约125 WPH(每小时能处理的wafer数量)，相比现行ArF immersion产能有限 。
而ASML下一世代EUV机台NXE3400C将提高产能，成为各家晶圆厂计划导入的新机台，预计2019下半年陆续出货 。如果在3nm制程使用GAA技术，曝光显影次数增加，预期会让EUV机台数超过现行发展5nm的需求数量，甚至有机会接近ArFimmersion数量的一半，在此情况下，ASML营收可望于未来显著增长 。
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