外媒：AMD也在做3D封装CPU，内存将通过硅通道连接
根据外媒的报道 ， AMD正在努力将内存嵌入到处理器中的单一封装中 ， 内存将通过硅通道连接 。
据介绍 ， 在许多领域 ， 制造商已经在研究类似的技术 ， 比如HBM2和NAND3D垂直堆叠 。然而 ， 对于处理器而言 ， 这是全新的 。新技术不会使实际内存更快 ， 但会使其在整体性能方面更有效 。
早在2018年末的架构日上 ， 英特尔宣布了他们的Foveros3D封装技术 ， 允许芯片以新的方式堆叠在一起 ， 创造出一个完全3D的处理器 。在2018年国际消费电子展上 ， 英特尔还公布了该公司首款Foveros3D处理器Lakefield 。
英特尔的Lakefield CPU是英特尔首款“混合处理器” ， 搭载单个10nm Sunny Cove处理内核以及四个较小的10nmCPU内核 。这种组合使英特尔能够在低功耗范围内提供大量多线程性能 ， 从而创建一个低功耗处理器 。
【外媒：AMD也在做3D封装CPU，内存将通过硅通道连接】英特尔的Lakefield处理器设计尺寸为12mm×12mm ， 3D封装 ， 底层是I/O芯片 ， 中间是CPU和GPU ， 处理器顶部是DRAM 。
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