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单片机的电平匹配问题

一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的） 。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行 。
常用的逻辑电平有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等 。其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列 。
5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平 。
3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平 。
输入高电平（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平 。
输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平 。
输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh 。
输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol 。
阀值电平(Vt)：数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平 。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平> Vih，输入低电平 【单片机的电平匹配问题】
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构 。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V 。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度 。
所以后来就把一部分“砍”掉了 。也就是后面的LVTTL 。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL) 。
3.3V LVTTL：
Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V 。
2.5V LVTTL：
Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V 。
更低的LVTTL不常用就先不讲了 。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了 。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输入脚悬空时是
内部认为是高电平 。要下拉的话应用1k以下电阻下拉 。TTL输出不能驱动CMOS输入 。
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS 。
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V 。
相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗 。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动 。
3.3V LVCMOS：
Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V 。
2.5V LVCMOS：
Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V 。
CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)
时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁 。
TTL电平与CMOS电平的区别
(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V
CMOS电平Vcc可达到12V
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc 。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱 。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平
另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格 。
用TTL电平他们就可以兼容
(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V 。
因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V 。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配 。
(三)TTL电平标准
输出 L： <0.4V ； H：>2.4V 。
输入 L： <0.8V ； H：>2.0V
TTL器件输出低电平要小于0.4V，高电平要大于2.4V 。输入，低于0.8V就认为是0，高于2.0就认为是1 。

CMOS电平：
输出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc 。
输入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc.


以下的内容作为了解：

ECL：Emitter CoupLED Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V 。
速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用 。但是功耗大，需要负电源 。为简化电源，出现了
PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL 。
PECL：Pseudo/Positive ECL
Vcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V
LVPELC：Low Voltage PECL
Vcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V
ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动 。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换 。
以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个直流偏置电压 。(如多用于时钟的LVPECL：直流匹配时用
130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时
用82欧上拉，同时用130欧下拉 。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右 。)
前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度又推出LVDS电平标准 。
LVDS：Low Voltage Differential Signaling
差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4mA，在差分线上改变方向来表示0和1 。通过外部的100欧匹配电
阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平 。
LVDS使用注意：可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm) 。
100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内 。下面的电平用的可能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍 。如果感兴趣的话可以联系我 。
CML：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配 。三极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上 。只能
点对点传输 。
GTL：类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号 。1.2V电源供
电 。
Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75V
PGTL/GTL+：
Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8V
HSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准：一般有V¬CCIO=1.8V和V¬¬CCIO=1.5V 。和上面的
GTL相似，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平(VCCIO/2)，另一端接输入信号 。对参考电平
要求比较高(1%精度) 。
SSTL主要用于DDR存储器 。和HSTL基本相同 。V¬¬CCIO=2.5V，输入为输入为比较器结构，比较器一
端接参考电平1.25V，另一端接输入信号 。对参考电平要求比较高(1%精度) 。
HSTL和SSTL大多用在300M以下 。


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