中芯国际N+1 代芯片可望于2021年量产
所以在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺的提升较小，市场基准的性能提升应该是35%。所以，中芯国际的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。据了解，20...
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【中芯国际N+1 代芯片可望于2021年量产】 集微网消息 ， 9月18日 ， 有投资者在互动平台提问：目前公司14纳米已经量产 ， N+1 代芯片进入客户导入阶段 ， 可望于 2021年进入量产 ， 以上新闻报道的信息是否属实？对此 ， 中芯国际表示 ， 公司第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段 ， 可望于2020年底小批量试产 。
据集微网2月报道 ， 在中芯国际2019第四季度财报会议上 ， 梁孟松博士透露了中芯国际下一代“N+1”工艺的详细数据 。
梁孟松博士透露 ， 中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比 ， 性能提升了20% ， 功耗降低了57% ， 逻辑面积缩小了63% ， SoC面积减少了55% 。所以在功率和稳定性方面 ， N+1和7nm工艺非常相似 ， 唯一区别在于性能方面 ， N+1工艺的提升较小 ， 市场基准的性能提升应该是35% 。所以 ， 中芯国际的N+1工艺是面向低功耗应用领域的 。
据了解 ， 2019年第四季度 ， 中芯国际的14nm首次贡献营收 。赵海军博士则表示 ， 来自14nm的营收将在今年继续稳步上升 ， 14nm产能也将随着中芯南方12英寸厂的产能爬坡而增长 。14nm的应用领域包括高端消费电子、高性能计算、媒体应用、人工智能和汽车电子等领域 。
原文标题：中芯国际：第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段 ， 年底有望小批量试产
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责任编辑：haq
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