英飞凌推出全新650VCoolSiC?HybridIGBT分立器件系列,提供优异效率
近日,英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出 650VCoolSiC?HybridIGBT 单管产品组合,具有650V阻断电压 。新款 CoolSiCHybrid产品系列结合了650VTRENCHSTOP?5IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路 。其常见应用包括:电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统 (UPS),以及服务器和电信用开关电源 (SMPS) 。
由于续流 SiC 肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中,在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变情况下,CoolSiCHybridIGBT能大幅降低开关损耗 。与标准的硅二极管解决方案相比,新产品可降低多达 60% 的 Eon 和30%的Eoff 。或者,也可在输出功率保持不变情况下,提高开关频率至少40% 。较高的开关频率有助于缩小无源元件的尺寸,进而降低物料清单成本 。该HybridIGBT可直接替代TRENCHSTOP5IGBT,无需重新设计,便能使每10kHz开关频率提升0.1%的效率 。
此产品系列可作为纯硅解决方案和高性能SiCMOSFET设计之间的另一种选择,与纯硅设计相比,HybridIGBT可提升电磁相容性和系统可靠性 。由于SiC肖特基二极管能快速换流,而不会有严重的振荡和寄生导通的风险 。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的KelvinEmitter封装供客户选择 。KelvinEmitter封装的第四管脚可实现超低电感的栅极驱动控制回路,并降低总开关损耗 。
目前,深圳科士达科技股份有限公司已成功导入650VCoolSiC?HybridIGBT单管在其UPS与组串式光伏逆变器的新平台设计中,从而提升系统效率,优化系统性能 。
深圳科士达科技股份有限公司董事长刘程宇就此表示:“科士达将与英飞凌有长年战略合作历程,持续在不间断电源与太阳能领域提供高可靠性的前沿科技产品,我们将在未来继续合作,在纵深的基础上开展更广泛的合作发展 。”
英飞凌科技副总裁、工业功率控制事业部大中华区负责人于代辉表示:“我们的创新来自于技术进步和客户的需求 。把HybridIGBT技术从模块导入到单管,以满足客户对高能效系统的追求,满足系统设计的灵活性,从而提高客户的竞争能力 。
供货情况
CoolSiCHybrid分立式IGBT系列延续先前所推出采用IGBT和CoolSiC肖特基二极管的CoolSiCHybridIGBTEasyPACK?1B和2B模块的成功经验 。此分立式产品组合即日起接受订购 。系列包含与半额定CoolSiC第6代二极管共同封装的40A、50A 和 75A650VTRENCHSTOP5超高速H5IGBT,或与全额定CoolSiC第6代二极管共同封装的中等速度S5IGBT 。
文章插图
【英飞凌推出全新650VCoolSiC?HybridIGBT分立器件系列,提供优异效率】
推荐阅读
- 贸泽电子联手安森美半导体推出全新资源网站探索高功率电源转换策略与解决方案
- 英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL?CoolSiC?MOSFET功率模块,助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
- Microchip推出首款通过航空航天认证的无基座电源模块产品系列,提高飞机电气系统效率
- 大联大品佳集团推出基于Infineon产品的65WUSB-PD解决方案
- 瑞萨电子推出用于RZ/G2L、RZ/V2L的完整电源解决方案可显著缩短系统设计时间
- 大联大友尚集团推出基于ONSemiconductor和MPS产品的750W高效能通讯电源方案
- 大联大友尚集团推出基于ONSemiconductor产品的超小尺寸PD快充电源方案
- 英飞凌和松下携手加速650VGaN功率器件的GaN技术开发
- 英飞凌采用具有新额定电流的IGBT7以增强1200VEconoDUAL?3产品组合,灵活满足更高的功率密度和性能
- 大联大世平集团推出基于onsemi产品的防疫医疗仪器电源解决方案