安森美半导体发布新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案
全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案
2021年6月8日—推动高能效创新的安森美半导体 （ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），发布一对1200V完整的碳化硅（SiC）MOSFET2－PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车（EV）市场的产品系列 。
随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症” 。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350kW的功率水平和95％的能效成为“常规” 。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战 。
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（企业供图）
新的1200VM1完整SiCMOSFET2pack模块，基于平面技术，适合18V到20V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动 。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度 。
NXH010P120MNF配置为2－PACK半桥架构，是采用F1封装的10mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6mohm器件 。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数（NTC）热敏电阻有助于温度监测 。
新的SiCMOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用 。最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT／MOSFET门极驱动器提供5kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作 。
NCD57252采用小型SOIC－16宽体封装，接受逻辑电平输入（3．3V、5V和15V） 。该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4．0A／灌电流6．0A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60ns 。
安森美半导体的SiCMOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成，比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性，令能效和功率密度更高，电磁干扰（EMI）得以改善，并减小系统尺寸和重量 。
最近发布的650VSiCMOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，使（RDS（on）＊area）的品质因数（FoM）达到同类最佳 。该系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等是市场上采用D2PAK7L／TO247封装的具有最低RDS（on）的MOSFET 。
1200V和900VN沟道SiCMOSFET芯片尺寸小，减少了器件电容和门极电荷（Qg－低至220nC），从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗 。
在APEC2021期间，安森美半导体将展示用于工业应用的SiC方案，并在展商研讨会上介绍电动车非车载充电方案 。
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【安森美半导体发布新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案】
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