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电脑|怎么刷bios，主板上a1a2内存不能用( 二 )

小知识



BIOS芯片 ， 其实就是BIOS文件的载体 。 BIOS文件存储在芯片中 ， 通过芯片的外部接口可对芯片中的程序进行擦除和读写 。 BIOS芯片我们可以理解为一个有多个单元的楼房（芯片的存储单元） ， 每一个单元存储一个二进制代码（0或1） 。 二进制的BIOS文件 ， 就是这样一一按顺序排列存储在芯片中的 。 BIOS芯片根据存储原理和工艺 ， 可以分为EPROM、EEPROM、FLASHROM等 。 EPROM是非易失型存储器（图三）（图四） ，

具有掉电不丢失的特性；其存储单元由浮栅型场效应管构成 ， 利用高压使浮栅带电实现对芯片的写入 ， 擦除内部数据靠紫外线消除浮栅上的电荷 ， 使其不带电 。 EPROM工作电压为5V ， 在写入时要用专用的编程器 ， 并且写入时必须要加一定的编程电压（VPP=12-24V ， 随不同的芯片型号而定） ， EPROM的型号是以27开头（如ATMEL27C020） 。
EEPROM是电擦除非易失型存储器（图五）（图六） ， 其存储单元也是由浮栅型场效应管构成 ， 写入时 ， 利用高压下的隧道效应 ， 令浮栅带电；擦除时 ， 仍是利用高压下的隧道效应 ， 不过电压极性相反 ， 因此令浮栅不带电 。 EEPROM工作电压为5V ， 在写入时 ， 需要加上一定的编程电压（VPP＝12V） ， EERPROM的型号以28开头（如AM28F020） 。

FLASH ROM也是电擦除非易失型存储器（快擦写存储芯片）（图七）（图八） ， 其也是浮栅型场效应管构成 ， 写入时 ， 利用热电子注入 ， 使浮栅带电；擦除时 ， 则利用高压下的隧道效应 ， 使浮栅失去电子 。 FLASH ROM的工作和刷新电压都是5V ， 其型号一般为29、39、49开头（如SST 39SF020） 。 目前主板上的BIOS芯片 ， 基本上都属于FLASH ROM 。 BIOS芯片有三种基本操作：读取、擦除、编程 。 要了解以上操作过程 ， 首先了解一下芯片的结构 。 芯片（存储器）外部接口（引脚）可分为：数据线、地址线、控制线、电源线（图九） 。 地址线用来确定数据所在的地址 ， 数据线用来输入和输出数据 。 控制线包括CE、OE、WE；CE是片选信号 ， 当CE为低电平时 ， 芯片被选中（也就是可以对芯片进行任何操作 ， 对于多BIOS芯片串联使用时 ， 可以用CE来选择要操作的芯片是那一片 ， 如RD2000双BIOS系统即为用CE来切换两个BIOS芯片的 ， 通常主板上为单BIOS芯片 ， 因此CE始终为低电平 ， 也就是一直为选中）；OE是输出允许 ， 也是低电平时有效 ， 当OE为低电平时 ， 允许数据输出 ， 也就是可以读取芯片中的内容 ， 当OE是高电平时 ， 输出被禁止 ， 无法读取内容；WE为编程允许 ， 也是低电平有效 ， 当WE为低电平时可以对芯片进行编程（写入） ， 当WE为高电平时不能对芯片进行编程（我们可将此脚接为高电平 ， 那么芯片就无法写入 ， 无敌锁即是将此脚升为高电平 ， 来保护芯片的） 。 对于EEPROM不需要擦除 ， 可以直接进行编程操作 ， 对于FLASH ROM ， 需要先擦除芯片内的内容 ， 然后才可以写入新的内容 。 电原线包括VCC、VPP、PR. 。 VCC为5V工作电源 ， VPP为28系列写入时12V电源（29系列此脚为NC ， 即为空脚） ， PR则是28系列分块式BIOS ， 对BOOT BLOCK块进行编写的12V电源 。 芯片无论是读取、擦除还是编程 ， 都需要各种信号按一定的时序、一定的电平相互配合才能完成 ， 控制信号时序是由编程程序来完成的 。 完成这段时序的过程 ， 也称为刷新流程（其也是一段程序码 ， 由生产厂家提供 ， 同型号的芯片 ， 虽然生产厂家不同 ， 但是其刷新流程是一致的）；不同的芯片 ， 其控制时序也是不同的 ， 因此编程程序也会根据芯片的型号进行相应的控制 。

不同芯片 ， 其控制时序不同 ， 编程程序会根据芯片的型号进行相应的控制 ， 刷新程序是如何识别芯片的型号呢？其实 ， 每一种芯片 ， 都有自己的标识 ， 这就是芯片ID（也称为芯片的身份证） ， 由于不同的芯片 ， 有不同的ID ， 因此刷新程序就是通过读取芯片的ID ， 来分辨不同的芯片 ， 同时根据其芯片ID来调用不同的刷新流程代码（控制程序） ， 来完成对芯片的编程的 。

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