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离子注入工艺的设计与计算简介

介绍工艺之前 ， 我们先聊一下昨天一个朋友提到的日本日新的离子注入设备 。日本日新是全球3大离子注入设备商之一 。

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另外注入到其他衬底材料的时候 ， 同样的离子 ， 和硅单晶比的话 ， 晶格常数越大的 ， 越容易注入 ， 晶格常数越小 ， 越难注入 。就好比往鸡蛋篮子里面丢沙子一样的道理 ， 缝隙越大越容易塞进去 。
不过不同注入能力的离子注入设备 ， 价格也相差不少呢 ， 比如第三代半导体这种 ， 也要上千W ， 一台设备也要占地大几十平的房间 ， 真是烧钱的老母鸡 ， 就是不知道能不能下金蛋 。
责任编辑：xj

原文标题：离子注入工艺的设计与计算
【离子注入工艺的设计与计算简介】 文章出处：【微信公众号：芯片工艺技术】欢迎添加关注！文章转载请注明出处 。
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