中国工程师最喜欢的10大RF器件
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为了方便无线通信设计工程师挑选和对比射频前端器件，ASPENCORE《电子工程专辑》分析师团队按照射频前端的五大组成（开关、滤波器、PA、LNA和双工器），将国际和国产厂商分开归为10个类别，每个类别挑选出3家厂商及其代表产品给予简要介绍 。感兴趣的朋友可以参考选择，并可以在文末投票评选出"中国工程师最喜欢的10大RF器件" 。这10个类别分别是：
射频前端（RFFE）主要组成部分作为无线通信的核心组成部分，射频前端（RFFE）主要由射频开关（Switch）、射频低噪声放大器(LNA)、射频功率放大器(PA)、双工器(Duplexers)、射频滤波器(Filter)五大器件组成 。从信号传输路径来说，可以分为信号接收路径和信号发射路径 。
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在射频前端（RFFE）组件中，功率放大器主要负责发射通道的射频信号放大 。在发射信号时通过PA放大输入信号，使得输出信号的幅度足够大以便后续处理 。其工作原理示意图如下：
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滤波器负责发射及接收信号的频率选择和滤波，保障信号在不同频率互不干扰地传输 。移动设备的滤波器主要采用表面声波(SAW)和体声波(BAW)两种技术制造 。双工器负责接收/发送通道的双工切换及射频信号滤波，双工器、三工器、四工器和多路复用器通常采用多个滤波器的组合 。
低噪声放大器主要用于接收通道中的小信号放大，其工作原理如下图所示：输入的射频信号被输入匹配网络转化为电压，经过放大器对电压进行放大，同时在放大过程中最大程度降低自身噪声的引入，最后经过输出匹配网络转化为放大后功率信号输出 。
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射频开关在打开和关闭之间切换，允许信号通过或不通过 。可分为单刀单掷、单刀双掷、多刀多掷开关 。射频开关的工作原理如下图所示：当射频开关的控制端口加上不同电压时，射频开关各端口将呈现不同的连通性 。以单刀双掷射频开关为例，当控制端口加上正电压时，连接端口 1 与端口 3 的电路导通，同时连接端口 2 与端口 3 的电路断开；当控制端口加上零电压时，连接端口 1 与端口 3 的电路断开，同时连接端口 2 与端口 3 的电路导通 。
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射频前端器件的技术和制造趋势是模组化，即将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上的分立器件集成为一个模组 。目前射频前端模组主要有以下类型：DiFEM（集成射频开关和滤波器）、LFEM(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)、 FEMiD（集成射频开关、滤波器和双工器）、PAMiD（集成多模式多频带PA和FEMiD） 。
全球射频前端的市场趋势据权威调研机构Yole数据，2018年全球移动终端射频前端市场规模为150亿美元，2019年射频前端市场为167亿美元，到2022年有望达到221.75亿美元，预计2025年将达到258亿美元 。以市场份额来看，2018年前五大射频器件提供商占据了射频前端市场份额的八成，其中包括Murata 26%，Skyworks 21%，Broadcom 14%，Qorvo 13%，Qualcomm 7% 。
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具体而言，未来几年PA模块市场将从2019年的54亿美元增长到2025年的89亿美元 。FEM模块市场将从2019年的26亿美元增长到2025年的46亿美元 。随着宽带PA和滤波器的发展，5G对RF前端提出了很大挑战 。而为了支持5G应用，各家RF前端供应商都在进行大量投资，特别是在设计和材料工程方面 。
另外，SAW和BAW滤波器在现今的射频领域尤其重要 。随着5G和WiFi 6的兴起，几乎所有的市场领导者都在研发和寻求BAW解决方案 。
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再看电信基础设施的射频前端组件市场 。Yole预测电信基础设施RF市场在2020 年的规模为27亿美元，到2023年预期将达到42亿美元 。但到2025年，这个市场的规模又将回落到36亿美元 。原因有两方面 。首先，有源天线系统的渗透率在2023 年将达到最大 。其次，5G目前正在逐步展开，2023年将达到顶峰 。在此之后，无线通信系统安装工作将缓慢地从部署过渡到升级，所需数量也会随之减少 。
工程师最喜欢的10大RF器件为了方便无线通信设备设计工程师挑选和对比射频前端器件，ASPENCORE《电子工程专辑》分析师团队按照射频前端的五大组成，将国际和国产厂商分开归为10个类别，每个类别挑选出3家厂商及其代表产品给予简要介绍 。工程师朋友可以参考选择，并可以在文末投票评选出您最喜欢的10大RF器件 。
国际SAW滤波器厂商
特性参数如下：I.H.P. SAW；低插入损耗；高Q性能；工作温度范围-20 to +85 deg.C；输入功率：+25 dBm 5000 h +50 deg.C；终端直接的DC电压：3V (25+/-2 deg.C)；终端之间的最小阻抗：10M ohm 。
Taiyo Yuden SAW和FBAR滤波器具有高滤波和频率利用效率，适用于高速数据传输 。SAW和FBAR滤波器具有高隔离度和良好灵敏度，可实现最佳性能，通过低插入损耗降低功耗，为最新设计提供经济高效的解决方案 。
特性参数：支持蓝牙、LTE、WLAN、TD-SCDMA、CDMA、W-CDMA、ISM900、GPS和GSM；提供双工器、三工器、四工器、发射器、收发器、收发器双工、接收器、接收器双工、接收器三工等类型；低插入损耗和高功率处理能力；高衰减，可降低信号干扰；频率范围：710MHz至2.655 GHz；阻抗：50Ω至100Ω；封装尺寸：小至1.1x0.9x0.44mm；工作温度范围：-30°C至+90°C；采用气密密封 (MSL1)，可靠性高 。
特性参数：适用于W-LAN、WiMAX、Bluetooth、UMTS、LTE、5G；蜂窝网络频带 ：Band 7/30/38/40/41/69；长度(L) ：1.60mm ±0.10mm；宽度(W) ；0.80mm ±0.15mm；厚度(T) ：0.60mm ±0.10mm； 特性阻抗 (Ω)：50se | 50se；开始/停止频率：2300～2690MHz；插入损耗 [Max.] 2dB；衰减量 [Min.] 12dB at 100～1800MHz，25dB at 3600～4000MHz；反射损失 [Min.] 10dB 。
国内SAW滤波器厂商
SLFB 18系列滤波器适用于GSM、LTE和5G移动通信设备，以及蓝牙、WLAN和基站等应用 。该系列SAW滤波器具有如下特性：低插入损耗和高衰减；小尺寸和高密度；易于焊接贴装；工作温度范围为: -40℃ ~+ 85℃/ -55℃ ~+ 125℃ 。
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好达电子主要产品包括声表面波滤波器、双工器、谐振器，应用于手机、通信基站，LTE模块，物联网，车联网，智能家居，及其它射频通讯领域 。该公司拥有先进的CSP和SMD生产线，可生产尺寸为1.6*1.2的双工器、0.9*0.7的滤波器等 。其SAW滤波器主要客户包括中兴、宇龙、三星、蓝宝、富士康、魅族等，SAW滤波器系列产品及基本特性参数如下：
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该公司月产各类声表谐振器和声表滤波器8000万只，广泛应用于遥控、安防、智能家居等领域 。其SAW滤波器系列产品特性参数如下：
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BAW滤波器厂商薄膜体声波谐振器 (FBAR) 滤波器是一种体声波 (BAW) 滤波器，具有优异的性能，与表面声波 (SAW) 滤波器相比，具有较陡的抑制曲线 。
ACPF-7A24专为移动Wi-Fi/蓝牙应用而设计（2401 MHz 至 2481.5 MHz），这类应用需要高衰减相邻频谱（例如，LTE 频段 7、38、40A、和 41B) 以满足共存要求 。该器件的封装尺寸仅为 0.585 x 0.721 x 0.244 mm，使得ACPF-7A24小于 0402 尺寸的 SMT 元件 。
其特性参数如下：性能保证 –30°C 至 +85°C；Wi-Fi 频段插入损耗（绝对）：1.2 dB 典型值，+25°C；Wi-Fi 频段插入损耗 (Ch Avg)：0.9 dB（典型值），+25°C；高额定功率：+27 dBm 最大额定功率（LTE 调制，平均数）；符合 RoHS 6、无卤、不含 TBBPA 。
特性参数：低插入损耗、高衰减、小尺寸包装、气密密封的高可靠性 (MSL1) 。
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Qorvo 885075 是一款高性能体声波 (BAW) Tx/Rx 滤波器，可满足B40中使用的严格LTE抑制要求，专为满足 LTE 传输系统在所有工作条件下对插入损耗和抑制的高性能预期而设计 。
Qorvo 先进的 LowDrift滤波器可实现高水平的LTE共存无线网络覆盖， 适用于移动设备的频段40 Tx/Rx 。其特性参数如下：高选择性 BAW 滤波器可在全带宽和工作条件下实现低插入损耗；WLAN 频带中的抑制最小为 40dB；性能 -20 至 +90 C；符合 RoHS，无铅/无卤模块封装 。
国际PA厂商
用于 LTE 和 NR 的 SKY58277-11 前端模块 (FEM) 是 Skyworks Sky5 5G 技术产品组合的新成员 。该器件采用单个 5.0 mm x 3.0 mm x 0.7 mm（最大）外形尺寸封装 。SKY58277-11 采用增强型架构，覆盖多个频段，满足 CP-OFDM 和 DFTS-OFDM 调制的频谱线性要求，带宽高达 100 MHz，资源块分配高达 273 。输出功率通过改变输入功率和调整 VCC 来控制以最大限度地提高效率 。极低的漏电流最大限度地延长了手机的待机时间 。
这种30-pad表面贴装 (SMT) 模块由 PA 模块、匹配到 50 欧姆的输入和输出端口、MIPI 标准数字控制模块、单端滤波器、天线和Tx-Rx开关，以及低噪声放大器 (LNA) 组成 。
其特性参数如下：支持频段：4G/5G NR B42、B43、B48、n48、n77和n78；无数字的全功率平均功率跟踪 (APT) 支持；预失真 (DPD)；UHB S-PAD 覆盖 B42、B43、B48、n48、n77 和 n78；高性能 APT PA 核心；支持快速 SRS 跳频时序要求；掉电模式下漏电流低；集成 TX-RX 开关和SRS 开关；两个集成 LNA、滤波器和开关路径同时支持主模块和 MIMO 在同一模块内接收；符合 MIPI v2.1 的 52MHz RFFESM 总线，MIPI v3.0 兼容 RX 功能支持；小而薄的封装：5.0 x 3.0 x 0.7毫米、30-pad 配置、带保形屏蔽的 LGA 。
AFEM-9086是一种多频段多模模块，包括功率放大器 (PA)、双工器、ANT 开关、双向耦合器和低噪声放大器 (LNA) 。该模块支持 UMTS/LTE 频段 1、2/25、3、4/66、34 和 39，以及 CDMA BC1 。AFEM-9086可支持FDD 频段和 TDD 频段的包络跟踪 (ET)，以及B1+B3 和 B25+B66 的载波聚合 (CA) 。其输入和输出端子内部匹配到50欧姆，功率放大器采用先进的 InGaP HBT技术制造 。
其主要特性如下：支持UMTS/LTE B1、B2/B25、B3、B4/B66；TD-SCDMA B34/B39 和
TD-LTE B39；CDMA C2K BC1；兼容 B1+B3 载波聚合；与 MPIP RFFE 兼容；小尺寸（5.5 × 8.2 mm2）；出色的线性度；偏置（静态电流）由MIPI REFFE控制；无铅和 RoHS合规 。
Qorvo 的 RF6886 是一款线性、高功率、高效率放大器，设计用于线性或饱和传输应用中的末级/驱动器 。该器件采用先进的 InGaP HBT 工艺制造，外部匹配允许在 100MHz 到 1000MHz 的标准频段中使用 。
其特性参数如下：100MHz 至 1000MHz；单 3.6V 电源；34dBm OP1dB；36.5dBm 饱和输出功率；50% 效率 。
国内PA厂商
飞骧科技推出的5G射频前端解决方案是一套完整的射频芯片产品族，包括：
FX6779/FX6777/FX6728/FX6727等产品组合可以完整满足Sub-6GHz频段1T4R、2T4R等方式的任意5G NR应用；在Sub-3GHz频段，FX6241和FX5627H可以覆盖所有频段，同时组合满足EN-DC应用需求；6种5G开关全面覆盖所有5G开关应用场景，并能提供低于2us的极速切换速度 。
昂瑞微（原中科汉天下）OM9085-11 是一款多模多频段Tx-Rx 前端模块 (FEM)，可支持 2G/3G/4G移动设备，并在3G/4G模式下高效运行 。该FEM集成了低频段 3G/4G PA模块、低频段和高频段 2G PA 模块、带MIPI RFFE 接口的硅控制器、RF频段开关、天线开关、双向耦合器，以及用于频段 8、12、20 和 26的集成滤波器 。
9085-11 FEM 针对 LTE Advanced 进行了优化，它利用载波聚合实现更高的数据速率 。FEM 内部的组合滤波、RF 匹配和 TRx 切换优化了流行的下行链路 (DL) CA 频段组合的性能，所有这些都集成在一个紧凑且低成本的解决方案中 。FEM包含天线和 RFIC 收发器之间的必要组件，并经过优化以提供卓越的 Rx 灵敏度和 Tx 效率 。
其特性参数如下：MIPI RFFE 2.0控制接口，带 1.8 V 标称电源；用于频段 8、12、20 和 26 的集成开关双工滤波器；四个用于外部滤波器的辅助 3G/4G Tx 输出；四个辅助 3G/4G TRx 端口以支持额外的频段；谐波相关 LB-MB 下行链路 CA 的 Tx 滤波；集成低频段和高频段 2G PA；高频段 2G 与配套的 MB/HB 模块配合使用；具有级联支持的集成双向射频耦合器；小而薄的封装：7.6 x 6.0 x 0.80毫米，56-pad 配置 。
S5643使用可重构技术来支持TD-SCDMA、WCDMA、CDMA2000、高速下行链路数据包访问（HSDPA）、高速上行链路数据包访问（HSUPA）和LTE（FDD和TDD）调制 。它可以覆3GPP和LTE的多个频段，可用于多频段3G/ LTE手机、多频段3G/ LTE数据卡、3G/LTE MIFI设备等 。
其性能特点如下：MMMB PA解决方案，兼容TD-SCDMA，WCDMA，CDMA2000，HSPA+，TDD-LTE和FDD-LTE；支持APT解决方案；通过MIPI接口支持偏差控制和波段选择；MIPI 2.0 / RFFE接口；小型低背四边扁平封装：4.0x6.8 x0.846mm，42-pad配置 。
国际LNA厂商
HMC8410是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz 。HMC8410提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3，采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA 。这款LNA具有高达22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT)，可用做平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器 。HMC8410还具有输入/输出(I/O)，内部匹配50 Ω，采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm LFCSP封装，非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线通信应用 。
BGA7H1BN6 是一款适用于3G/LTE的前端低噪声放大器，覆盖从1805 MHz 到 2690 MHz的宽频率范围 。该LNA在4.3 mA 的电流消耗下可提供12.3 dB 增益和 0.85 dB 噪声系数，电源电压从1.5 V至3.6 V 。该器件具有单线两态控制（旁路和高增益模式），在旁路模式下，可以提供-3.1dB 的插入损耗 。BGA7H1BN6 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术，采用超小型TSNP-6-2 无铅封装（面积：0.7 x 1.1 mm2) 。
BGS8H2 是一款带旁路开关的低噪声放大器 (LNA)，适于LTE接收器应用，采用小型塑料 6 引脚极薄无铅封装 。BGS8H2 需要一个外部匹配电感，针对 2300 MHz 至 2690 MHz 进行了优化 。其特性参数如下：噪声系数 (NF) = 1.0 dB；增益 12.5 dB；旁路开关插入损耗为 2.3 dB；高输入 1 dB 压缩点-1.5 dBm；4 dBm 高频段IP3i；供电电压 1.5V 至 3.1V；集成电源去耦电容器；关电模式电流消耗 < 1 µA；集成温度稳定偏置；输入和输出直流去耦 。
国内LNA厂商
MXDLN16G是一款符合GPS、GLONASS Galileo和Compass标准的高增益、低噪声放大器（LNA），具有0.6dB的极低噪声特性、19dB增益，以及卓越的线性度 。该器件可以工作于1.1V-2.85V单电源供电状态，所消耗的电流仅6mA 。若处于待机（PD）模式，其功耗可降低至小于1uA 。
MXDLN16G采用1mm×1.5mm×0.75mm DFN 6 引脚封装，适用于汽车导航、个人导航设备 (PND)、带 GPS 的手机、带 GPS 的 MID/PAD等 。其特性参数如下：高增益：19dB；低噪声系数 0.6dB @ 1575.42MHz；低工作电流 6mA & PD 电流更小（小于 1uA），1.2V电源下3.5mA电流；单电源电压范围 1.1V 至 2.85V；小封装1mm×1.5mm×0.75mm；无铅且符合 RoHS 标准 。
宜确半导体的主要产品包括2G/3G/4G/MMMB射频功率放大器及射频前端芯片，射频开关芯片，低噪声放大器芯片，WiFi射频前端芯片以及射频电源芯片等 。其LNA产品系列包括：TR4005--5.8GHz低噪声放大器；TR4004: 2.4GHz低噪声放大器；TR1501: GPS/GNSS低噪声放大器 。
HG114FH-1是一款DC～6GHz低噪声放大器芯片，增益为 17dB@4GHz，噪声系数小于 2.5dB，1dB 压缩点输出，功率为 17dBm，1dB 压缩点输出功率17dBm，电压/电流5V/40mA，芯片尺寸为0.9mm×0.6mm×0.1mm 。
国际RF开关厂商
SKY13355-374LF 是 pHEMT GaAs 双刀双掷 (DPDT) 开关，专为 2.4 和 6.0 GHz 双频无线 LAN 应用而设计，在两个频段均可具有高线性性能、低插入损耗和高隔离度，适用于双频无线局域网 (802.11 a/b/g/n)的分集天线切换 。该开关由两个电压输入（V1 和 V2）控制，采用紧凑的 1.5 x 1.5 毫米、6引脚裸露焊盘MLPD封装 。
其特性参数如下：宽带频率范围：0.1 至 6.0 GHz；正控制电压范围：1.8 至 5.0 V；低插入损耗：0.6 dB 典型值 @ 2.5 GHz；高隔离度：23.5 dB 典型值 @ 2.5 GHz；P1dB：+33 dBm 典型值 @ 3 V；小型 MLPD无铅封装（MSL1，260 °C，符合 JEDEC J-STD-020） 。
Qorvo RF1657 是一款低损耗、高隔离度的 SP7T开关，其性能针对需要高线性度的 CDMA、WCDMA 和 LTE 应用进行了优化 。RF1657与 RFFE 串行控制兼容，这是许多蜂窝收发器的关键要求 。该部件采用紧凑的 2mm x 2mm、14 引脚QFN 封装 。
其特性参数如下：出色的插入损耗和隔离性能：0.44dB Typ IL for Band 5，38dB Typ Isolation, Band 5；700MHz 至 2700MHz多频段支持；RFFE 串行控制接口；功率处理能力：+32dBm 到 50 ohm；2mm x 2mm QFN 封装；不需要隔直电容器（除非外部直流施加到 RF 端口） 。
XM系列是以SOI（Silicon On Insulator）和GaAs（gallium arsenide）为基础设计出来的RF开关器件，可以在手机、ISM频段等无线设备领域广泛使用 。其控制接口也可以使用GPIO，MIPI 。这种CMOS DP4T开关适用于无线通信，采用10脚无铅封装 。
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国内RF开关厂商
MXD8625C是一种单刀双掷(SPDT) LTE/WCDMA/GSM发射和接收开关，由带有单个控制引脚的集成GPIO接口来控制开关切换 。只要没有在任何射频路径上施加直流电压，这种开关就不需要外部隔直电容器 。
其特性参数如下：宽带频率范围：0.1 至 3 GHz；低插入损耗：0.35 dB @ 2.7 GHz；高隔离度：28 dB 至 2.7 GHz；P0.1dB 36dBm；无需外部隔直电容；单根GPIO控制线，VDD电压调节器：VCTL= 1.6 至 3.00 V，VDD= 2.5 至 3.00 V；小型 6 引脚 QFN，400 um 间距 (1.1mm x0.7mmx 0.45mm) 封装 。
豪威集团（原韦尔股份）的WS7802LR是一种3G/4G 单刀双掷（SPDT）天线开关， 专为3G/4G路由和分集应用二优化 。其高线性度和低插入损耗特性特别适合WCDMA/LTE手机和数据卡应用 。
WS7802LR 采用紧凑型双平面、无引线封装 (DFN) 。其特性如下：小型、薄型封装 1.1mm x 0.7mm x0.55mm；工作频率高达 3GHz；极低的插入损耗；出色的隔离性能；低功耗；WCDMA/LTE 出色的线性性能 。
唯捷创芯的主要产品包括射频功率放大器和射频开关，主要应用于2G，3G，4G手机及数据卡产品 。其射频开关系列产品包括通用RF开关、天线调谐开关和交换开关等 。
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双工器厂商
AFU(Antenna Filter Units) 是一种天线和滤波器集成的一体化射频组件，可以优化有源板的整体布局，进一步改善有源板的电磁兼容性 。过去的天线与滤波器经由连接器连接，5G时代AFU设计通过将天线与滤波器集成，同时取消连接器，从而达到减少阻抗环节，缩小系统体积，降低系统成本，提高系统性能的目的 。
武汉凡谷AFU产品主要是4×4MIMO的AFU，其中包括B41(2496Mhz-2690Mhz)，B3(1710MHz-1880MHz)，B1(1920MHz-2170MHz)， B42（3500MHz-3700MHz） 。
这种基站双工器由一个接收端滤波器和一个发射端滤波器组成，实现收发共用同一天线 。具有如下产品优势：体积小巧，降低系统整体重量，使安装运输更加方便；优秀的差损指标，降低通信系统的整体功耗和提高接收机灵敏度；卓越的带外指标，充分抑制带外信号，保证系统在各种严酷的实际电磁环境下有效工作；稳定的可靠性，在严酷的温度环境下依然能提供优越的性能，长期可靠地工作 。
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信维通信是全球一站式泛射频解决方案供应商，拥有多样化的射频发射和接收电路产品，所供应的关键零部件可增强产品自身的系统性 。其射频前端器件包括滤波器、调谐器、双工器和天线开关等产品，广泛应用于各种无线系统类产品，包括蓝牙，WiFi，GNSS（GPS，Galileo，Glonass，北斗等），NFC， 4G LTE，以及与MIMO、毫米波相关的5G通信 。
信维的双工器规格为1.8 mm * 1.4 mm，主要功能是让系统所需要的频率通过，而抑制不可用的信号，并将发射和接收讯号隔离，保证接收和发射信号能同时工作，互不干扰 。
请通过微信投票评选出"中国工程师最喜欢的10大RF器件"！国际SAW滤波器厂商
国内SAW滤波器厂商
BAW滤波器厂商
国际PA厂商
国内PA厂商
国际LNA厂商
国内LNA厂商
国际RF开关厂商
国内RF开关厂商
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