美光量产176层3DNAND快闪存储器
11月10日，存储器大厂美光科技(Micron)宣布，全球首款176层3DNAND快闪存储器已正式出货，藉此将实现前所未有、领先业界的储存容量和效能 。预计透过美光新推出的176层3DNAND快闪存储器技术及先进架构，可大幅提高资料中心、智慧边缘运算以及手机装置等储存使用案例的应用效能 。
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美光指出，176层3DNAND快闪存储器是美光第五代3DNAND产品，以及第二代替换闸（ReplacementGate）架构，是市场上技术最先进的NAND节点 。
与上一代的高容量3DNAND相比，美光176层3DNAND快闪存储器的读取延迟和写入延迟改善超过35%，可大幅提高应用的效能 。此外，美光的176层3DNAND快闪存储器设计精巧，是小尺寸解决方案的理想选择 。
美光技术与产品执行副总裁ScottDeBoer表示，美光的176层3DNAND快闪存储器为业界树立了新标竿 。而且结合美光的CuA（CMOS-under-array）架构，该技术使美光得以维持在产业中的成本领先优势 。
美光进一步指出，新推出的176层3DNAND快闪存储器提供更好的服务品质（QoS)，此为资料中心SSD的关键设计标准，可以加速资料密集环境和工作负载，例如资料库、人工智能引擎、以及大数据分析等 。对5G智能手机而言，强化的服务品质（QoS）使其能更快地在多个应用程式之间进行载入和转换，创造更流畅且快速的手机使用体验 。
美光强调，随着摩尔定律的放缓，美光在3DNAND产品上的创新对确保业界跟上不断增加的资料需求至关重要 。为了实现此里程碑，美光独家结合其堆叠式替换闸架构、崭新的电荷捕捉储存方式以及CuA（CMOS-under-array）技术 。美光3DNAND专家团队亦利用公司的CuA专利技术取得飞快的进展，在芯片逻辑上建造多层次堆叠，使更多存储器能够装入更紧密的空间，并大幅度地缩小了176层NAND快闪存储器的晶粒尺寸，进而使每个晶圆达到更高的GB 。
美光176层3DNAND快闪存储器目前已于美光新加坡晶圆厂量产，并透过Crucial消费型SSD产品系列向客户出货 。美光预计于2021年度推出采用此技术的其他新产品 。
【美光量产176层3DNAND快闪存储器】
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