专为强化谐振拓扑运作性能打造，英飞凌推出全新650VCoolMOS?CFD7

【专为强化谐振拓扑运作性能打造，英飞凌推出全新650VCoolMOS?CFD7】【2020年10月9日，德国慕尼黑讯】在工业应用SMPS的设计上，最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑，也因此触发了对650V击穿电压功率器件的需求。英飞凌科技股份有限公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)旗下650VCoolMOS?CFD7产品系列即可满足上述需求。此器件适用于软切换应用的谐振拓扑，例如通信电源、服务器、太阳能和非车载的电动车充电。

文章插图
新款650V器件扩展了声誉卓越的CoolMOSCFD7系列的电压范围，且为CoolMOSCFD2的后继产品。新款650V产品可搭配LLC和零电压切换相移全桥拓扑，较前几代产品能提供多项优势。本产品系列击穿电压提升50V，搭配整合高速本体二极管技术及更出色的切换效能，非常适合用于当代设计。极低的反向恢复电荷加上优异的热性能，也添加了更多优势。
开关损耗与RDS(on)过热相依性皆大幅降低，此产品系列具备非常优异的硬式整流耐用度。由于闸极电荷(Qg)改善，加上快速的开关性能，650VCoolMOSCFD7系列可提高整个负载范围的效率。在主要的SMPS应用中，相较于竞争产品，这些MOSFET提供绝佳的轻载效率，满载效率也有所提升。此外，同级最低RDS(on)也能让客户能以极具竞争力的价格，提升SMPS的功率密度。
供货情况
TO-220、TO-247及TO-2474引脚封装的650VCoolMOSCFD7现已接受订购。

专为强化谐振拓扑运作性能打造，英飞凌推出全新650VCoolMOS?CFD7

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