浅谈CP项目中的接触电阻测试技术

本文准备谈谈CRES-Contact Resistance ,  接触电的相关技术 。
接触电阻的形式可分为三类:点接触、线接触和面接触 。接触形式对收缩电阻Rs的影响主要表现在接触点的数目上 。一般情况下 , 面接触的接触点数n最大而Rs最小;点接触则n最小 , Rs最大;线接触则介于两者之间 。
之前在做CP项目时 , 总是发现一些对电压/电流值敏感的测试项yield loss比预期的高 , 比如VOH ,  VOL和Vddmin的测量等等 。手动扎到这些die上 , 有时候直接就pass了 , 有时候虽然没有一跑就pass , 但是稍微增加over drive , 也是能够pass的 。当时跟产线PE讨论 , 到底是什么影响了测试结果?PE给的回答是"接触电阻" 。
Cres发生在两个接触的物体之间 , 会导致电或热的损耗增加 。

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Cres主要由2部分组成:
metallic contact , 金属接触 , 也称作locallized physical mechanisms
film resistance , 薄膜电阻 , 也称作non-conducTIve contribuTIon
current flow仅能从中间金属接触的部分通过 。
在量产测试时 , probe needle每次touch down的时候 , 都会刮擦die pad , 在摩擦力和电磁场的作用下 , 会有一些沾污 。由于非导电材料(例如:碎片、残渣和氧化等)的积累 , 量产中的Cres变化 , 主要是由film resistance导致的 。
其他影响Cres的原因还有:
针尖的形状变化导致的实际接触面积的变化 。(实际接触面积与针尖形状、压力、和表面处理有关)
针尖的表面平整度变化 , 导致的接触面积的变化 。(越光滑的表面 , 接触面积越大 , Cres越低 。越粗糙的表面 , 越易沾污 。)
CP测试的温度影响氧化过程 , 以及碎片的构成 。

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如果任由Cres上升而不采取措施 , 会导致良率的明显下降 。ref[1]
所以在量产过程中 , 往往会进行定期的needle clean来保证良率 。

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ref[1]
那么Cres到底是怎么影响测试结果的呢?之前我恰好抓了张波形图 , 这里给大家参考 。第一张图是没有清针的时候画出来的波形图

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没有清针的波形图 , 可以看到电压不稳定
下面这张是清针后的波形图:

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清针后的波形图 , 可以看到波形规整了很多
我想 , 通过上面4张图 , 大家可以清晰地感受到 , Cres对于CP测试看得到的巨大影响了 。
这里再谈谈清针 。清针虽然可以帮我们把良率救回来 , 但是也有一些问题 。
早期的清针方法 , 往往是用磨针的方式 。把针尖上的沾污磨掉 。但这样也会把针尖越磨越短 , 这样实际接触的点的面积就会越来越大 。当probe mark的面积大过一定范围时 , 会导致封装的可行性和可靠性变差 。而在offline maintenance的时候 , 有时候会用溶液etch针尖 , 当把针尖etch得太细的时候 , 会导致touch down时 , 局部压强过大 , 可能会刺穿Al pad , 损坏下方的电路 。

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ref[2] Probe Mark的面积与封装失效(lift ball 起球)的对应关系

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ref[3] Touch down对于pad下面的电路的影响
目前常用的方法是 , Semi-abrasive"半研磨"性的清针和抛光 。把针尖在类似于胶带的材料上扎一下 , 把沾污粘下来的方式 。这样可以把对针尖的磨损降低 , 延长probe card的使用寿命 。

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浅谈CP项目中的接触电阻测试技术
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ref[3]
在CP测试厂 , 通常会根据probe card和产品的特性 , 定义一个cleaning recipe 。简单来说就是测几百颗 , 清一次针这样的 。但是其实任何清针方式 , 都会对针尖造成损伤 。
作为一个测试工程师 , 其实是有办法协助测试厂 , 改进清针流程的 。把按时清针 , 变成按需清针 。
因为清针的目的 , 就是为了降低Cres 。而Cres是可以通过ATE测出来的 。这样只要Cres仍然在我们要求的范围内 , 就可以不用清针 , 继续测试 。我们可以用测Open/Short的方式 , 给pad加电流 , 测电压 。去掉二极管的管压降 , 即可得到接触电阻 。
【浅谈CP项目中的接触电阻测试技术】如果量产时能够通过监控接触电阻来按需清针 , 则可以进一步地延长probe card的寿命 。

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