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单片机EEPROM的页写入

在向 EEPROM 连续写入多个字节的数据时，如果每写一个字节都要等待几 ms 的话，整体上的写入效率就太低了 。因此 EEPROM的厂商就想了一个办法，把 EEPROM 分页管理 。24C01、24C02 这两个型号是 8 个字节一个页，而 24C04、24C08、24C16 是 16个字节一页 。我们开发板上用的型号是 24C02，一共是 256 个字节，8 个字节一页，那么就一共有 32 页 。
分配好页之后，如果我们在同一个页内连续写入几个字节后，最后再发送停止位的时序 。EEPROM检测到这个停止位后，就会一次性把这一页的数据写到非易失区域，就不需要像上节课那样写一个字节检测一次了，并且页写入的时间也不会超过5ms 。如果我们写入的数据跨页了，那么写完了一页之后，我们要发送一个停止位，然后等待并且检测 EEPROM的空闲模式，一直等到把上一页数据完全写到非易失区域后，再进行下一页的写入，这样就可以在很大程度上提高数据的写入效率 。
#include
extern void I2CStart();
extern void I2CStop();
extern unsigned ｃｈａｒ I2CReadACK();
extern unsigned ｃｈａｒ I2CReadNAK();
extern bit I2CWrite(unsigned ｃｈａｒ dat);
/* E2 读取函数，buf-数据接收指针，addr-E2 中的起始地址，len-读取长度 */
void E2Read(unsigned ｃｈａｒ *buf, unsigned ｃｈａｒ addr, unsigned ｃｈａｒ len){
do { //用寻址操作查询当前是否可进行读写操作
I2CStart();
if (I2CWrite(0x50<<1)){ //应答则跳出循环，非应答则进行下一次查询
break;
}
I2CStop();
}while(1);
I2CWrite(addr); //写入起始地址
I2CStart();//发送重复启动信号
I2CWrite((0x50<<1)|0x01); //寻址器件，后续为读操作
while (len > 1){//连续读取 len-1 个字节
*buf++ = I2CReadACK(); //最后字节之前为读取操作+应答
len--;
}
*buf = I2CReadNAK(); //最后一个字节为读取操作+非应答
I2CStop();
}
/* E2 写入函数，buf-源数据指针，addr-E2 中的起始地址，len-写入长度 */
void E2Write(unsigned ｃｈａｒ *buf, unsigned ｃｈａｒ addr, unsigned ｃｈａｒ len){
while (len > 0){ //等待上次写入操作完成
do { //用寻址操作查询当前是否可进行读写操作
I2CStart();
if (I2CWrite(0x50<<1)){ //应答则跳出循环，非应答则进行下一次查询
break;
}
I2CStop();
} while(1);
//按页写模式连续写入字节
I2CWrite(addr); //写入起始地址
while (len > 0){
I2CWrite(*buf++); //写入一个字节数据
len--; //待写入长度计数递减
addr++; //E2 地址递增
//检查地址是否到达页边界，24C02 每页 8 字节，
//所以检测低 3 位是否为零即可
if ((addr&0x07) == 0){
break; //到达页边界时，跳出循环，结束本次写操作
}
【单片机EEPROM的页写入】}
I2CStop();
}
}
遵循模块化的原则，我们把 EEPROM 的读写函数也单独写成一个 eeprom.c 文件 。其中E2Read函数和上一节是一样的，因为读操作与分页无关 。重点是 E2Write函数，我们在写入数据的时候，要计算下一个要写的数据的地址是否是一个页的起始地址，如果是的话，则必须跳出循环，等待 EEPROM把当前这一页写入到非易失区域后，再进行后续页的写入 。
/*****************************main.c文件程序源代码******************************/
#include
extern void InitLcd1602();
extern void LcdShowStr(unsigned ｃｈａｒ x, unsigned ｃｈａｒ y, unsigned ｃｈａｒ*str);
extern void E2Read(unsigned ｃｈａｒ *buf, unsigned ｃｈａｒ addr, unsigned ｃｈａｒlen);
extern void E2Write(unsigned ｃｈａｒ *buf, unsigned ｃｈａｒ addr, unsigned ｃｈａｒlen);
void MemToStr(unsigned ｃｈａｒ *str, unsigned ｃｈａｒ *src, unsigned ｃｈａｒ len);
void main(){
unsigned ｃｈａｒ i;
unsigned ｃｈａｒ buf[5];
unsigned ｃｈａｒ str[20];
InitLcd1602(); //初始化液晶
E2Read(buf, 0x8E, sizeof(buf)); //从 E2 中读取一段数据
MemToStr(str, buf, sizeof(buf)); //转换为十六进制字符串
LcdShowStr(0, 0, str); //显示到液晶上
for (i=0; i
buf[i] = buf[i] + 1 + i;
}
E2Write(buf, 0x8E, sizeof(buf)); //再写回到 E2 中
while(1);
}
/* 将一段内存数据转换为十六进制格式的字符串，
str-字符串指针，src-源数据地址，len-数据长度 */
void MemToStr(unsigned ｃｈａｒ *str, unsigned ｃｈａｒ *src, unsigned ｃｈａｒ len){
unsigned ｃｈａｒ tmp;
while (len--){
tmp = *src >> 4; //先取高 4 位
if (tmp <= 9){ //转换为 0-9 或 A-F
*str++ = tmp + '0';
}else{
*str++ = tmp - 10 + 'A';
}
tmp = *src & 0x0F; //再取低 4 位
if (tmp <= 9){ //转换为 0-9 或 A-F
*str++ = tmp + '0';
}else{
*str++ = tmp - 10 + 'A';
}
*str++ = ' '; //转换完一个字节添加一个空格
src++;
}
}
多字节写入和页写入程序都编写出来了，而且页写入的程序我们还特地跨页写的数据，它们的写入时间到底差别多大呢 。我们用一些工具可以测量一下，比如示波器，逻辑分析仪等工具 。我现在把两次写入时间用逻辑分析仪给抓了出来，并且用时间标签T1 和 T2 标注了开始位置和结束位置，如图 14-5 和图 14-6 所示，右侧显示的|T1-T2|就是最终写入 5个字节所耗费的时间 。多字节一个一个写入，每次写入后都需要再次通信检测 EEPROM 是否在“忙”，因此耗费了大量的时间，同样的写入 5个字节的数据，一个一个写入用了 8.4ms 左右的时间，而使用页写入，只用了 3.5ms 左右的时间 。
 
图 14-5 多字节写入时间
 
图 14-6 跨页写入时间

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