安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案

【安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案】2021年6月23日—推动高能效创新的安森美半导体，推出业界首款专用临界导通模式(CrM)图腾柱PFC控制器，是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。
在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240W电源中的损耗约4W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能。然而，用"图腾柱"配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功能，可减少电桥损耗，显著提高整体能效。此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结硅MOSFET还是碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带开关。

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新的NCP1680CrM图腾柱PFC控制器采用新颖的电流限制架构和线路相位检测，同时结合经验证的控制算法，提供高性价比的图腾柱PFC方案，而不影响性能。该IC的核心是内部补偿数字环路控制。该创新器件采用含谷底开关的恒定导通时间CrM架构。由于内置非连续导通模式(DCM)，在频率返走工作期间谷底同步导通，因此可满足现代能效标准，包括那些要求在轻载下提供高能效的标准。
该高度集成的器件可使电源设计在通用电源(90至265Vac)下以高达350W的建议功率水平工作。在230Vac电源输入下，基于NCP1680的PFC电路能够在300W实现近99%的能效。在外部只需几个简单的器件即可实现全功能图腾柱PFC，从而节省空间和器件成本。进一步减少器件数，实现逐周期电流限制，无需霍尔效应传感器。
NCP1680采用小型SOIC-16封装，也可作为评估平台的一部分，支持快速开发和调试先进的图腾柱PFC设计。
根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680可与NCP51820半桥GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)门极驱动器或NCP51561隔离型SiCMOSFET门极驱动器一起使用。NCP51561是隔离型双通道门极驱动器，具有4.5A源电流和9A灌电流峰值能力。新器件适用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。两个独立的5kVRMS(UL1577级)电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。一个使能引脚将同时关断两个输出，且NCP51561提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定(UVLO)和使能功能。
安森美半导体提供阵容广泛的SiCMOSFET，它们比硅MOSFET提供更高能效。低导通电阻(RDS(on))和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷(Qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。安森美半导体已发布采用TO-247-4L和D2PAK-7L封装的650VSiCMOSFET，并将继续猛增该产品系列。此外，安森美半导体提供完整的硅基650VSUPERFET?IIIMOSFET产品组合。

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