捷捷微电 半导体功率分立器件MOSFET特点及目标

2021年8月26日,由ASPENCORE主办的"全球MCU生态发展大会"及"电机驱动与控制论坛"在深圳成功举办 。其中的"电机驱动与控制论坛"上众多厂商就MCU及电机驱动与控制等技术进行了深入交流 。
捷捷微电 半导体功率分立器件MOSFET特点及目标
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本文首先简要分析了半导体功率分立器件的市场趋势及分布,然后介绍了捷捷微电的高效能功率器件MOSFET,最后捷捷微电副总经理于玮诏先生分享了捷捷微电的目标和功率器件之梦 。
半导体功率分立器件市场趋势及分布
捷捷微电 半导体功率分立器件MOSFET特点及目标
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【捷捷微电 半导体功率分立器件MOSFET特点及目标】上图是2005年到2021年IC季度出货量的增长情况,16年多时间从200多亿增长到1000多亿,增长5倍左右 。
捷捷微电 半导体功率分立器件MOSFET特点及目标
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上图是功率器件MOSFET市场结构分布及变化 。
捷捷微电 半导体功率分立器件MOSFET特点及目标
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MOSFET功率器件在汽车行业的需求
除了在汽车领域,其他大多数涉及半导体的行业都有MOSFET的需求 。
捷捷微电的高效能功率 MOSFET特点及产品专利
捷捷微电 半导体功率分立器件MOSFET特点及目标
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微电的SGT专利技术JSFET包含:
分离(或屏蔽)栅极沟槽技术通过进一步最小化关键电气参数来改进沟槽技术
更好的 Ron, sp (例如 Rchannel ?; REpi ?) & UIS; 模具尺寸?;
开关性能(通过减少 Rg / Qg / Cgd / Qrr / trr
性能优化
SGT MOSFET支持各种性能优化,地满足各个应用需求
VDS of competitionID of competitionVDS of JSFETID of JSFETVDS (V); ID (A)Time (ms)
捷捷微电 半导体功率分立器件MOSFET特点及目标
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1 VGS(th) 通常会影响抗噪性

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