意法半导体推出世界首款驱动芯片与GaN晶体管的集成化解决方案

意法半导体(ST)近日推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的MasterGaN?产品平台，对于400W以下轻便节能的消费电子、工业充电器以及电源适配器而言，意法半导体提出的这个集成化方案有助于加快开发速度。
【意法半导体推出世界首款驱动芯片与GaN晶体管的集成化解决方案】GaN技术使电子设备能够处理更大功率，同时设备本身变得更小、更轻、更节能，这些改进将会改变用于智能手机的超快充电器和无线充电器、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器，以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。
在当今的GaN市场上，通常采用分立功率晶体管和驱动IC的方案，这要求设计人员必须学习如何让它们协同工作，实现最佳性能。
意法半导体的MasterGaN方案绕过了这一挑战，缩短了产品上市时间，并能获得预期的性能，同时使封装变得更小、更简单，电路组件更少，系统可靠性更高。
凭借GaN技术和意法半导体集成产品的优势，采用新产品的充电器和适配器比普通硅基解决方案缩减尺寸80%，减重70% 。
意法半导体执行副总裁、模拟产品分部总经理MatteoLoPresti表示：“ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力，整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成，能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。”
MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。

文章插图
MasterGaN1现已量产，采用9mmx9mmGQFN封装，厚度只有1mm 。
意法半导体还提供一个产品评估板，帮助客户快速启动电源产品项目。
技术细节:
MasterGaN平台借用意法半导体的STDRIVE600V栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 。9mmx9mmGQFN薄型封装保证高功率密度，为高压应用设计，高低压焊盘间的爬电距离大于2mm 。
该产品系列有多种不同RDS(ON)的GaN晶体管，并以引脚兼容的半桥产品形式供货，方便工程师成功升级现有系统，并尽可能少地更改硬件。
在高端的高能效拓扑结构中，例如，带有源钳位的反激或正激式变换器、谐振变换器，无桥图腾柱PFC(功率因数校正器)，以及在AC/DC和DC/DC变换器和DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。
MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管，最大额定电流为10A，导通电阻(RDS(ON))为150mΩ 。
逻辑输入引脚兼容3.3V至15V的信号，还配备全面的保护功能，包括高低边UVLO欠压保护、互锁功能、关闭专用引脚和过热保护。

意法半导体推出世界首款驱动芯片与GaN晶体管的集成化解决方案

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