为什么HCLO的氧化性比HCLO3强结构上的原因是什么


【为什么HCLO的氧化性比HCLO3强结构上的原因是什么】HClO和HClO3中氯原子皆为sp3杂化,空间电子云分布呈正四面体,HClO中氯原子的3个杂化轨道被填满 , 剩下一个与sp3杂化的氧原子的一个轨道重叠,电子云密度更接近氧原子 , 从而使氯原子更容易得到电子对被氧化,或者键断裂形成自由基,由此具有强氧化性 。HClO3中氯原子有2个满电子的杂化轨道用来填补2个氧原子的空杂化轨道,轨道为空所以能级更高 , 更不稳定,由此亦具有强氧化性,但是跟HClO相类似的那根HOCl中氧原子和氯原子之间的键 , 由于氯原子受其余两个氧原子的吸电影响,此键的电子云密度更倾向于氯原子 , 从而使这个键跟HClO相比不那么容易被拆成自由基 。根据实验结果HClO氧化性更强,应该是氯氧键活性比氯氧双键更高 , 更体现出氧化性 。

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