刻蚀机和光刻机的区别
刻蚀机和光刻机的区别如下：
1、工艺不同：刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉，光刻机是将图形刻到硅片上 。
2、难度不同：光刻机的难度和精度大于刻蚀机 。
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等 。等离子刻蚀 ， 是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时 ， 会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面 。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况 。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分 。工件送入被真空泵抽空的反应室 。气体被导入并与等离子体进行交换 。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走 。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺 。
【刻蚀机和光刻机的区别】
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