中芯国际:将于年底小批量试产第二代FinFET N+1芯片
据最新消息 ， 我国芯片生产巨头中芯国际在互动平台公开表示 ， 该司即将在2020年底小批量试产第二代FinFET N+1芯片 ， 目前这一芯片已经进入客户导入阶段 。去年年底 ， 中芯国际率先完成任务 ， 完成了第一代FinFET 14nm芯片的量产工作 。
【中芯国际:将于年底小批量试产第二代FinFET N+1芯片】 资料显示 ， 对比起一代14nm芯片 ， 二代FinFET N+1芯片的工艺将提升至12nm ， 晶体管尺寸将进一步缩减 ， 功耗降低20%、性能提升10% ， 错误率降低20% 。据悉 ， 此前业界曾“误传” ， 中芯国际N+1、N+2工艺项目的可以媲美台积电的7nm芯片工艺 。
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今年3月 ， 中芯国际也对此澄清道 ， 该司N+1、N+2工艺项目与台积电7nm芯片还有差距 ， 只能说 ， 在功耗以及稳定性能与其相提并论 。不过 ， 虽然与国际最先进的芯片代工产商还有距离 ， 但是中芯国际当前取得的成绩实属来之不易 。据悉 ， 目前全球能生产14nm芯片的企业仅有6家 ， 中芯国际就是其中之一 。
除了中国企业试图赶超国际高端芯片的先进制程 ， 美国芯片巨头英特尔（Intel）也在加紧行动 。截至目前 ， 作为美国第一大芯片生产商 ， 英特尔芯片工艺仅发展至10nm ， 7nm工艺的进展还屡次被延迟 。近期 ， 已经有不少业界人士猜测 ， 由于本土产能受限 ， 英特尔很有可能会将美国本土的芯片订单转交给台积电等帮忙代工 。
此外 ， 我国芯片产业也在不断传来重磅利好 。就在今日（12月4日） ， 中芯国际宣布旗下子公司中芯控股将和国家集成电路基金II、亦庄国联手成立合资企业 。据天眼查公布的报告 ， 我国已有超过20000家芯片相关企业拥有自家独有的专利 ， 占比相关企业总量的8.45% 。这意味着 ， 我国日后将在芯片专利领域拥有更多话语权 。
就连我国北京市也送来了一则“好消息” 。据报道 ， 北京市多名代表人士“公开放话” ， 接下来将力争突破集成电路、关键新材料等“卡脖子”技术 ， 加快推进世界一流重大科技基础设施集群建设 。不难想象 ， 当我们集全国的力量攻克生产难题 ， 芯片产业迎来“弯道超车”的一天也就不远了 。
责任编辑:tzh
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