中芯国际:将于年底小批量试产第二代FinFET N+1芯片
据最新消息 , 我国芯片生产巨头中芯国际在互动平台公开表示 , 该司即将在2020年底小批量试产第二代FinFET N+1芯片 , 目前这一芯片已经进入客户导入阶段 。去年年底 , 中芯国际率先完成任务 , 完成了第一代FinFET 14nm芯片的量产工作 。
【中芯国际:将于年底小批量试产第二代FinFET N+1芯片】 资料显示 , 对比起一代14nm芯片 , 二代FinFET N+1芯片的工艺将提升至12nm , 晶体管尺寸将进一步缩减 , 功耗降低20%、性能提升10% , 错误率降低20% 。据悉 , 此前业界曾“误传” , 中芯国际N+1、N+2工艺项目的可以媲美台积电的7nm芯片工艺 。
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今年3月 , 中芯国际也对此澄清道 , 该司N+1、N+2工艺项目与台积电7nm芯片还有差距 , 只能说 , 在功耗以及稳定性能与其相提并论 。不过 , 虽然与国际最先进的芯片代工产商还有距离 , 但是中芯国际当前取得的成绩实属来之不易 。据悉 , 目前全球能生产14nm芯片的企业仅有6家 , 中芯国际就是其中之一 。
除了中国企业试图赶超国际高端芯片的先进制程 , 美国芯片巨头英特尔(Intel)也在加紧行动 。截至目前 , 作为美国第一大芯片生产商 , 英特尔芯片工艺仅发展至10nm , 7nm工艺的进展还屡次被延迟 。近期 , 已经有不少业界人士猜测 , 由于本土产能受限 , 英特尔很有可能会将美国本土的芯片订单转交给台积电等帮忙代工 。
此外 , 我国芯片产业也在不断传来重磅利好 。就在今日(12月4日) , 中芯国际宣布旗下子公司中芯控股将和国家集成电路基金II、亦庄国联手成立合资企业 。据天眼查公布的报告 , 我国已有超过20000家芯片相关企业拥有自家独有的专利 , 占比相关企业总量的8.45% 。这意味着 , 我国日后将在芯片专利领域拥有更多话语权 。
就连我国北京市也送来了一则“好消息” 。据报道 , 北京市多名代表人士“公开放话” , 接下来将力争突破集成电路、关键新材料等“卡脖子”技术 , 加快推进世界一流重大科技基础设施集群建设 。不难想象 , 当我们集全国的力量攻克生产难题 , 芯片产业迎来“弯道超车”的一天也就不远了 。
责任编辑:tzh
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