晶片冲洗机 国产3nm芯片刻蚀机取得突破 美企多次窃取中微专利

【晶片冲洗机 国产3nm芯片刻蚀机取得突破 美企多次窃取中微专利】芯片
紫金财经5月8日报道近日,国内芯片行业传来好消息。据媒体报道,中伟公司成功研发了一台3纳米刻蚀机,并完成了样机的设计、制造、测试和初步工艺开发与评估,目前已进入量产阶段。
此前,中伟的等离子刻蚀设备已应用于国际一线客户的先进集成电路加工制造生产线和先进封装生产线。3纳米刻蚀机的诞生,让中国芯片企业未来能够参与到更先进的高端芯片制造产业链中。
众所周知,半导体工艺主要包括晶圆制造、设计、制造、封装和测试。每个环节不仅需要高科技,还需要大量的软硬件设备。单晶硅片制造需要单晶炉等设备,而IC制造需要掩模对准器、刻蚀机、薄膜设备、扩散离子注入设备、湿法设备、工艺检测等六类设备。其中,掩模对准器、刻蚀机和薄膜设备是最重要的。
掩模对准器的工作原理类似于显影照片,即通过显影技术将电路图复制到硅片上。该刻蚀机的工作原理是根据掩模对准器刻出的电路结构,对硅片进行微尺度的刻蚀,并刻出凹槽或接触孔。刻蚀机利用显影后的光刻胶图形作为掩膜,刻蚀掉衬底上一定深度的薄膜材料,然后得到与光刻胶图形相同的集成电路图形。
ASML公司的EUV掩模对准师工程师曾说过,掩模对准器是人类智慧的结晶,它以光为画笔,将集成电路的电路图复制到硅片上。蚀刻机就像工匠手中的雕刻刀。需要在几千万根头发的大小上搭建几十层的“龙骨”,这直接决定了芯片的工艺流程。
在高端芯片上绘制和雕刻数百亿个晶体管和集成电路的过程中,至少需要数千个工艺步骤。然而这样高端复杂的刻蚀机最终被微半导体突破,一向自认为技术领先的美国企业大为不满。
近年来,美国半导体设备公司、美国应用材料公司、潘麟·R&D公司和维科公司为了遏制中微的发展,纷纷对中微提起商业秘密和专利侵权诉讼。好在中微早有充足的准备,他们在国内外申请了1200多项相关专利,其中大部分是发明专利,有效保护了他们自主创新形成的知识产权。
中伟负责人尹志尧曾表示,中伟是中国被美国起诉最多的半导体公司,主要有四大诉讼。这四起诉讼包括专利诉讼、商业秘密等诸多方面,但无一例外,中微都胜诉或达成和解。
据悉,美国维科在蚀刻机市场被中微击败。为了遏制中微的快速发展势头,维科向纽约州联邦法院对中微石墨板供应商SGL提起专利侵权诉讼,要求巨额赔偿。但事实是,SGL并未侵犯维科的专利,而是后者盗用了中威晶圆载具同步锁定的相关专利。
为了保护自己的合法权益,中微直接发起反击,将维科扣押的侵权货物提交上海海关。货物价值3000多万元,直接给了维科沉重的打击,使其不得不做出妥协,积极寻求中微的谅解,最终双方达成专利交叉许可协议。
目前,中微在刻蚀机方面已经领先,但在整个芯片领域,我们还没有实现芯片技术的全国生产覆盖。受国外设备限制,中国在高端芯片方面距离欧美还有很长的路要走,逻辑器件的技术水平大概落后三代,也就是5到10年的差距。
从现阶段来看,国内厂商与全球领先技术的差距正在逐渐缩短,国产替代迎来机遇。中微公司掌握3纳米刻蚀技术的消息也给半导体行业的发展带来了信心。尹志尧曾说,中国人重视数学、物理、工程和技术,有耐心,所以最适合集成电路。“只要我们有一定的耐心,将来一定会成为世界芯片领域的先进国家”。

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